Above1MBMemoryTest：設(shè)置開(kāi)機(jī)自檢時(shí)是否檢測(cè)1M以上內(nèi)存。該選項(xiàng)已經(jīng)在新的BIOS中被淘汰。由于內(nèi)存價(jià)格暴跌，電腦用戶(hù)安裝內(nèi)存容量陡然增加，開(kāi)機(jī)時(shí)的大容量?jī)?nèi)存自檢時(shí)間太長(zhǎng)，今后，即使一遍的內(nèi)存檢測(cè)可能也會(huì)出現(xiàn)允許/禁止開(kāi)關(guān)。

AutoConfiguration：設(shè)置為允許時(shí)，BIOS按照最佳狀態(tài)設(shè)置。BIOS可以自動(dòng)設(shè)置內(nèi)存定時(shí)，因此會(huì)禁止一些對(duì)內(nèi)存設(shè)置的修改，建議選擇允許方式。

MemoryTestTickSound：是否發(fā)出內(nèi)存自檢的滴嗒聲。如果您閑它煩，可以關(guān)閉它們。

MemoryParityErrorCheck：設(shè)置是否要設(shè)置內(nèi)存奇偶校驗(yàn)。多在30線(xiàn)內(nèi)存條使用時(shí)代，已經(jīng)被淘汰。但把非奇偶校驗(yàn)內(nèi)存強(qiáng)行進(jìn)行奇偶校驗(yàn)設(shè)置會(huì)使電腦無(wú)法開(kāi)機(jī)。

CacheMemoryController：是否使用高速緩存。不在流行的AwardBIOS中使用。

ShadowRAMOption：設(shè)置系統(tǒng)BIOS或顯示卡BIOS是否映射到常規(guī)內(nèi)存中。可以加快速度，但也可能造成死機(jī)。

InternalCacheMemory：是否使用CPU內(nèi)部緩存(一級(jí)緩存)?？梢蕴岣呦到y(tǒng)性能。

ExternalCacheMemory：是否使用CPU外部緩存(主板上的二級(jí)緩存)?？梢蕴岣呦到y(tǒng)性能。AMD新的具有兩級(jí)緩存的CPU的出現(xiàn)，使主板上的二級(jí)緩存退居成三級(jí)緩存。

ConcurrentRefresh：直譯是同時(shí)發(fā)生的刷新。設(shè)置CPU在對(duì)其它I/O操作時(shí)對(duì)內(nèi)存同時(shí)刷新，可以提高系統(tǒng)性能。

DRAMReadWaitState：設(shè)置CPU從內(nèi)存讀數(shù)據(jù)時(shí)的等待時(shí)鐘周期。在內(nèi)存比CPU慢時(shí)可以設(shè)置更多的等待。

DRAMWriteWaitState：設(shè)置CPU向內(nèi)存寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)的等待時(shí)鐘周期。在內(nèi)存比CPU慢時(shí)可以設(shè)置更多的等待。

SlowRefresh：對(duì)質(zhì)量好的內(nèi)存，保持?jǐn)?shù)據(jù)的時(shí)間比較長(zhǎng)，可以設(shè)置更長(zhǎng)的時(shí)間周期，從而提高系統(tǒng)性能。

ShadowCachecable：把映射到常規(guī)內(nèi)存的BIOSROM增加高速緩存，使性能更進(jìn)一步。

PageMode：使內(nèi)存工作于PageMode或PageInterleaved模式。

RASTimeoutCounter：使PageMode或PageInterleaved模式的工作速度更快。因?yàn)橛锌赡軙?huì)超過(guò)內(nèi)存RAS周期，因此采用計(jì)數(shù)器來(lái)監(jiān)視RAS周期，一旦超過(guò)RAS周期，則將周期自動(dòng)復(fù)位為0。

MemoryRelocation：內(nèi)存重新定位。即將384的上位內(nèi)存(UpperMemoryBlock)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)儲(chǔ)到1MB以上的擴(kuò)展內(nèi)存中。

MemoryHole：有人稱(chēng)作內(nèi)存孔洞。把內(nèi)存地址15MB-16MB的區(qū)域留給一些特殊的ISA擴(kuò)展卡使用，可以加速該卡工作速度或避免沖突。一般被設(shè)置成禁止，除非ISA擴(kuò)展卡有專(zhuān)門(mén)的說(shuō)明。

DRMATimingSetting：快頁(yè)內(nèi)存或EDO內(nèi)存速度設(shè)置，通常是60ns或70ns選擇，對(duì)10ns或更快的SDRAM內(nèi)存無(wú)效。

FastMAtoRASDelay：設(shè)置內(nèi)存地址(MemoryAddress)到內(nèi)存行地址觸發(fā)信號(hào)(RAS)之間的延遲時(shí)間。

DRAMWriteBrustTiming：CPU把數(shù)據(jù)寫(xiě)如高速緩存后，再寫(xiě)如內(nèi)存的延遲時(shí)間。

FastRASToCASDelay：行地址觸發(fā)信號(hào)到列地址觸發(fā)信號(hào)之間的延遲時(shí)間。通常是RAS#下降到CAS#下降之間的時(shí)間。

DRAMLead-OffTiming：CPU讀/寫(xiě)內(nèi)存前的時(shí)間。

DRAMSpeculativeRead：設(shè)置成允許時(shí)，讀內(nèi)存的時(shí)間比正常時(shí)間提前一個(gè)時(shí)間周期，可以提高系統(tǒng)性能。

DRAMDataIntegrityMode：選擇內(nèi)存校驗(yàn)方式是Parity或ECC。

RefreshRASAssertion：設(shè)置內(nèi)存的行地址刷新時(shí)間周期，對(duì)質(zhì)量好的內(nèi)存可以延遲刷新，從而提高系統(tǒng)性能。

RASRechargePeriod：內(nèi)存行地址信號(hào)預(yù)先充電所需要的時(shí)間。

FastEDOPathSelect：設(shè)置選擇對(duì)EDO內(nèi)存讀/寫(xiě)的快速途徑，可以提高系統(tǒng)性能。

SDRAMRASLatency：設(shè)置SDRAM內(nèi)存的行地址觸發(fā)到列地址觸發(fā)的時(shí)間延遲。

SDRAMRASTiming：設(shè)置系統(tǒng)對(duì)SDRAM內(nèi)存的行地址觸發(fā)時(shí)間，也即刷新時(shí)間。

PeerConcurrency：為提高系統(tǒng)并行，使CPU對(duì)高速緩存或內(nèi)存或PCI設(shè)備，或PCI的主控信號(hào)對(duì)PCI外圍設(shè)備等等操作同時(shí)進(jìn)行。系統(tǒng)智能越高，同CPU并行的操作越多，性能提高越多。